PHP65N06LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHP65N06LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 55 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 63 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT78
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHP65N06LT
PHP65N06LT Datasheet (PDF)
php65n06lt 2.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP65N06LT, PHB65N06LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 63 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 18 m (VGS = 5 V)g Low thermal resistance
php65n06t 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP65N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC) 63 Afeatures very low on-state r
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