Справочник MOSFET. PHP65N06LT

 

PHP65N06LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHP65N06LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SOT78
 

 Аналог (замена) для PHP65N06LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP65N06LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  philips
 php65n06lt 2.pdf pdf_icon

PHP65N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP65N06LT, PHB65N06LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 63 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 18 m (VGS = 5 V)g Low thermal resistance

 6.1. Size:52K  philips
 php65n06t 1.pdf pdf_icon

PHP65N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP65N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC) 63 Afeatures very low on-state r

Другие MOSFET... PHP42N03LT , PHP44N06LT , PHP4N60E , PHP4ND40E , PHP50N03LT , PHP50N06LT , PHP55N03LT , PHP60N06LT , IRF1405 , PHP69N03LT , PHP6N10E , PHP6N50E , PHP6N60E , PHP6ND50E , PHP7N60E , PHP80N06LT , PHP87N03LT .

 

 
Back to Top

 


 
.