PHP65N06LT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PHP65N06LT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: SOT78
Аналог (замена) для PHP65N06LT
PHP65N06LT Datasheet (PDF)
php65n06lt 2.pdf

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP65N06LT, PHB65N06LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 63 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 18 m (VGS = 5 V)g Low thermal resistance
php65n06t 1.pdf

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP65N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC) 63 Afeatures very low on-state r
Другие MOSFET... PHP42N03LT , PHP44N06LT , PHP4N60E , PHP4ND40E , PHP50N03LT , PHP50N06LT , PHP55N03LT , PHP60N06LT , P0903BDG , PHP69N03LT , PHP6N10E , PHP6N50E , PHP6N60E , PHP6ND50E , PHP7N60E , PHP80N06LT , PHP87N03LT .
History: S60N12RP | 2N5951 | NVA7002NT1G | NVB6410AN | BF556A | NDT70N03 | SSS10N60
History: S60N12RP | 2N5951 | NVA7002NT1G | NVB6410AN | BF556A | NDT70N03 | SSS10N60



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI
Popular searches
2sa763 | a933 | 2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor