PHP69N03LT Todos los transistores

 

PHP69N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHP69N03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT78
 

 Búsqueda de reemplazo de PHP69N03LT MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PHP69N03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  philips
 phb69n03lt phd69n03lt php69n03lt 7.pdf pdf_icon

PHP69N03LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP69N03LT, PHB69N03LT Logic level FET PHD69N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 69 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 12 m (VGS = 10 V)gRDS(ON) 14 m (VGS

 6.1. Size:49K  philips
 php69n03t 2.pdf pdf_icon

PHP69N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP69N03T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 30 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC) 69 Afeatures very low on-state r

Otros transistores... PHP44N06LT , PHP4N60E , PHP4ND40E , PHP50N03LT , PHP50N06LT , PHP55N03LT , PHP60N06LT , PHP65N06LT , 60N06 , PHP6N10E , PHP6N50E , PHP6N60E , PHP6ND50E , PHP7N60E , PHP80N06LT , PHP87N03LT , PHP8N50E .

History: IRLI640A | PHP50N06LT | PHP60N06LT | PHB45N03LT | FK10UM-12 | PHP3N50E | IRLI630A

 

 
Back to Top

 


 
.