PHP69N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHP69N03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT78

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHP69N03LT

PHP69N03LT Datasheet (PDF)

..1. Size:111K philips
phb69n03lt phd69n03lt php69n03lt 7.pdf

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP69N03LT, PHB69N03LT Logic level FET PHD69N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 69 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 12 m (VGS = 10 V)gRDS(ON) 14 m (VGS

6.1. Size:49K philips
php69n03t 2.pdf

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Liste

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