PHP69N03LT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHP69N03LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SOT78

Аналог (замена) для PHP69N03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP69N03LT даташит

 ..1. Size:111K  philips
 phb69n03lt phd69n03lt php69n03lt 7.pdf pdf_icon

PHP69N03LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP69N03LT, PHB69N03LT Logic level FET PHD69N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 69 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 12 m (VGS = 10 V) g RDS(ON) 14 m (VGS

 6.1. Size:49K  philips
 php69n03t 2.pdf pdf_icon

PHP69N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP69N03T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 30 V trench technology. The device ID Drain current (DC) 69 A features very low on-state r

Другие IGBT... PHP44N06LT, PHP4N60E, PHP4ND40E, PHP50N03LT, PHP50N06LT, PHP55N03LT, PHP60N06LT, PHP65N06LT, IRLB3034, PHP6N10E, PHP6N50E, PHP6N60E, PHP6ND50E, PHP7N60E, PHP80N06LT, PHP87N03LT, PHP8N50E