QM3036D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QM3036D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 53 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 25 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 82 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 22.4 nC
Tiempo de subida (tr): 34 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 391 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0043 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
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QM3036D Datasheet (PDF)
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QM3036D N-Ch 25V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM3036D is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 25V 4.3m 82Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM3036D meet the RoHS and Green Product requirement , 1
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