QM3036D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QM3036D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 391 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для QM3036D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM3036D даташит

 ..1. Size:348K  ubiq
 qm3036d.pdf pdf_icon

QM3036D

QM3036D N-Ch 25V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM3036D is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 25V 4.3m 82A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM3036D meet the RoHS and Green Product requirement , 1

Другие IGBT... QM3018P, QM3020P, QM3022D, QM3022M6, QM3024D, QM3024M6, QM3024N3, QM3024S, IRF9640, QM3201S, QM3202M3, QM3202S, QM3203S, QM3206S, QM3208S, QM3214S, QM3301S