QM3036D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: QM3036D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 53 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 82 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 34 ns
Выходная емкость (Cd): 391 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0043 Ohm
Тип корпуса: TO-252
QM3036D Datasheet (PDF)
qm3036d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
QM3036D N-Ch 25V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM3036D is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 25V 4.3m 82Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM3036D meet the RoHS and Green Product requirement , 1
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .