QM3214S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QM3214S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Encapsulados: SOP-8
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QM3214S datasheet
qm3214s.pdf
QM3214S Dual N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM3214S is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 30V 12m 9A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM3214S meet the RoHS and Green Product requirement
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History: QM3208S | HY3912A
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Liste
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