QM3214S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QM3214S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для QM3214S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM3214S даташит

 ..1. Size:339K  ubiq
 qm3214s.pdf pdf_icon

QM3214S

QM3214S Dual N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM3214S is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 30V 12m 9A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM3214S meet the RoHS and Green Product requirement

Другие IGBT... QM3024S, QM3036D, QM3201S, QM3202M3, QM3202S, QM3203S, QM3206S, QM3208S, AOD4184A, QM3301S, QM3302S, QM3303S, QM3403K, QM3404K, QM3802S, QM3807M6, QM3809M6