QM3214S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: QM3214S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для QM3214S
QM3214S Datasheet (PDF)
qm3214s.pdf

QM3214S Dual N-Ch 30V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM3214S is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 30V 12m 9Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM3214S meet the RoHS and Green Product requirement
Другие MOSFET... QM3024S , QM3036D , QM3201S , QM3202M3 , QM3202S , QM3203S , QM3206S , QM3208S , AO4468 , QM3301S , QM3302S , QM3303S , QM3403K , QM3404K , QM3802S , QM3807M6 , QM3809M6 .
History: BRCS080C04SC | JFUX5N50D | QM3024M6 | FDB8876
History: BRCS080C04SC | JFUX5N50D | QM3024M6 | FDB8876



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor | 2n3394 | 2sb688