PHP7N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHP7N60E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 147 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT78

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHP7N60E

PHP7N60E Datasheet (PDF)

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php7n60e phb7n60e phw7n60e.pdf

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP7N60E, PHB7N60E, PHW7N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 7 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 1.2 sGENERAL DESCRIPTIONN-chan

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