Справочник MOSFET. PHP7N60E

 

PHP7N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHP7N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT78
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP7N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  philips
 php7n60e phb7n60e phw7n60e.pdf pdf_icon

PHP7N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP7N60E, PHB7N60E, PHW7N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 7 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 1.2 sGENERAL DESCRIPTIONN-chan

Другие MOSFET... PHP55N03LT , PHP60N06LT , PHP65N06LT , PHP69N03LT , PHP6N10E , PHP6N50E , PHP6N60E , PHP6ND50E , IRFP064N , PHP80N06LT , PHP87N03LT , PHP8N50E , PHP8ND50E , PHT11N06LT , PHT6N03LT , PHT6N06LT , PHT8N06LT .

History: IRFR024N | SDF120JDA-D | FDPF8N50NZU | DG840 | IRLU3715 | KNB1906A | CS730A3RD

 

 
Back to Top

 


 
.