PHP80N06LT Todos los transistores

 

PHP80N06LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHP80N06LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT78
     - Selección de transistores por parámetros

 

PHP80N06LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  philips
 php80n06lt 2.pdf pdf_icon

PHP80N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP80N06LT, PHB80N06LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 75 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 14 m (VGS = 5 V)g Low thermal resistance

 6.1. Size:53K  philips
 php80n06t 1.pdf pdf_icon

PHP80N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP80N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC)1 75 Afeatures very low on-state

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History: NCE0250D | WSF20P03 | IPI80CN10NG

 

 
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