PHP80N06LT - аналоги и даташиты транзистора

 

PHP80N06LT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PHP80N06LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SOT78
 

 Аналог (замена) для PHP80N06LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP80N06LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  philips
 php80n06lt 2.pdf pdf_icon

PHP80N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP80N06LT, PHB80N06LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 75 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 14 m (VGS = 5 V)g Low thermal resistance

 6.1. Size:53K  philips
 php80n06t 1.pdf pdf_icon

PHP80N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP80N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC)1 75 Afeatures very low on-state

Другие MOSFET... PHP60N06LT , PHP65N06LT , PHP69N03LT , PHP6N10E , PHP6N50E , PHP6N60E , PHP6ND50E , PHP7N60E , MMD60R360PRH , PHP87N03LT , PHP8N50E , PHP8ND50E , PHT11N06LT , PHT6N03LT , PHT6N06LT , PHT8N06LT , PHW11N50E .

History: PHP8ND50E

 

 
Back to Top

 


 
.