PHP87N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHP87N03LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 142 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 75 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 39 nC
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT78
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHP87N03LT
PHP87N03LT Datasheet (PDF)
phb87n03lt phd87n03lt php87n03lt 5.pdf
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Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP87N03LT, PHB87N03LT Logic level FET PHD87N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 75 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 9.5 m (VGS = 10 V)gRDS(ON) 10.5 m (
php87n03t 2.pdf
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Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP87N03T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 30 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC)1 75 Afeatures very low on-state
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