Справочник MOSFET. PHP87N03LT

 

PHP87N03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHP87N03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: SOT78
 

 Аналог (замена) для PHP87N03LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP87N03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  philips
 phb87n03lt phd87n03lt php87n03lt 5.pdf pdf_icon

PHP87N03LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP87N03LT, PHB87N03LT Logic level FET PHD87N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 75 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 9.5 m (VGS = 10 V)gRDS(ON) 10.5 m (

 6.1. Size:49K  philips
 php87n03t 2.pdf pdf_icon

PHP87N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP87N03T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 30 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC)1 75 Afeatures very low on-state

Другие MOSFET... PHP65N06LT , PHP69N03LT , PHP6N10E , PHP6N50E , PHP6N60E , PHP6ND50E , PHP7N60E , PHP80N06LT , 2N7002 , PHP8N50E , PHP8ND50E , PHT11N06LT , PHT6N03LT , PHT6N06LT , PHT8N06LT , PHW11N50E , PHW14N50E .

History: STM4446

 

 
Back to Top

 


 
.