PHP87N03LT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHP87N03LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: SOT78

Аналог (замена) для PHP87N03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP87N03LT даташит

 ..1. Size:102K  philips
 phb87n03lt phd87n03lt php87n03lt 5.pdf pdf_icon

PHP87N03LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP87N03LT, PHB87N03LT Logic level FET PHD87N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 75 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 9.5 m (VGS = 10 V) g RDS(ON) 10.5 m (

 6.1. Size:49K  philips
 php87n03t 2.pdf pdf_icon

PHP87N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP87N03T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 30 V trench technology. The device ID Drain current (DC)1 75 A features very low on-state

Другие IGBT... PHP65N06LT, PHP69N03LT, PHP6N10E, PHP6N50E, PHP6N60E, PHP6ND50E, PHP7N60E, PHP80N06LT, MMIS60R580P, PHP8N50E, PHP8ND50E, PHT11N06LT, PHT6N03LT, PHT6N06LT, PHT8N06LT, PHW11N50E, PHW14N50E