PHT11N06LT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHT11N06LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 13 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: SOT223

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PHT11N06LT datasheet

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PHT11N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT11N06LT Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT logic level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 V suitable for surface mounting. ID Drain current (DC) Tsp = 25 C 10.7 A The device features very low

 6.1. Size:60K  philips
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PHT11N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT11N06T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT logic level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 V suitable for surface mounting. ID Drain current (DC) Tsp = 25 C 10.7 A Using trench technolo

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