PHT11N06LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHT11N06LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 8.3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 55 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 13 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10.7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 17 nC
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHT11N06LT
PHT11N06LT Datasheet (PDF)
pht11n06lt 2.pdf
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pht11n06t 1.pdf
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