PHT11N06LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHT11N06LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 13 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHT11N06LT
PHT11N06LT Datasheet (PDF)
pht11n06lt 2.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT11N06LT Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlogic level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vsuitable for surface mounting. ID Drain current (DC) Tsp = 25 C 10.7 AThe device features very low
pht11n06t 1.pdf
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Liste
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