PHT11N06LT Todos los transistores

 

PHT11N06LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHT11N06LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 13 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

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PHT11N06LT Datasheet (PDF)

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pht11n06lt 2.pdf

PHT11N06LT
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Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT11N06LT Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlogic level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vsuitable for surface mounting. ID Drain current (DC) Tsp = 25 C 10.7 AThe device features very low

 6.1. Size:60K  philips
pht11n06t 1.pdf

PHT11N06LT
PHT11N06LT

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