PHT11N06LT Todos los transistores

 

PHT11N06LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHT11N06LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 13 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
     - Selección de transistores por parámetros

 

PHT11N06LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  philips
 pht11n06lt 2.pdf pdf_icon

PHT11N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT11N06LT Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlogic level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vsuitable for surface mounting. ID Drain current (DC) Tsp = 25 C 10.7 AThe device features very low

 6.1. Size:60K  philips
 pht11n06t 1.pdf pdf_icon

PHT11N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT11N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlogic level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vsuitable for surface mounting. ID Drain current (DC) Tsp = 25 C 10.7 AUsing trench technolo

Otros transistores... PHP6N50E , PHP6N60E , PHP6ND50E , PHP7N60E , PHP80N06LT , PHP87N03LT , PHP8N50E , PHP8ND50E , AO3407 , PHT6N03LT , PHT6N06LT , PHT8N06LT , PHW11N50E , PHW14N50E , PHW20N50E , PHW7N60E , PHW8N50E .

History: SNN3530BNL | DMN2170U | ZXMS6005DGQ | 2SJ107 | APM9948J | HM609K | SI6925ADQ

 

 
Back to Top

 


 
.