Справочник MOSFET. PHT11N06LT

 

PHT11N06LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHT11N06LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 13 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для PHT11N06LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHT11N06LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  philips
 pht11n06lt 2.pdf pdf_icon

PHT11N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT11N06LT Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlogic level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vsuitable for surface mounting. ID Drain current (DC) Tsp = 25 C 10.7 AThe device features very low

 6.1. Size:60K  philips
 pht11n06t 1.pdf pdf_icon

PHT11N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT11N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlogic level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vsuitable for surface mounting. ID Drain current (DC) Tsp = 25 C 10.7 AUsing trench technolo

Другие MOSFET... PHP6N50E , PHP6N60E , PHP6ND50E , PHP7N60E , PHP80N06LT , PHP87N03LT , PHP8N50E , PHP8ND50E , AO4468 , PHT6N03LT , PHT6N06LT , PHT8N06LT , PHW11N50E , PHW14N50E , PHW20N50E , PHW7N60E , PHW8N50E .

History: CS830A4RD | FRK160H

 

 
Back to Top

 


 
.