QM6020P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QM6020P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 242 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2415 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm

Encapsulados: TO-220

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QM6020P datasheet

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QM6020P

QM6020P N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM6020P is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 60V 2.8m 242A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM6020P meet the RoHS and Green Product requirement , 1

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QM6020P

QM6020AP N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM6020AP is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 60V 3.8m 198A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM6020AP meet the RoHS and Green Product requirement

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