QM6020P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QM6020P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 260 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 242 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 508 nC
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2415 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0028 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET QM6020P
QM6020P Datasheet (PDF)
qm6020p.pdf
QM6020P N-Ch 60V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM6020P is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 60V 2.8m 242Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM6020P meet the RoHS and Green Product requirement , 1
qm6020ap.pdf
QM6020AP N-Ch 60V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM6020AP is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 60V 3.8m 198Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM6020AP meet the RoHS and Green Product requirement
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