QM6020P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QM6020P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 242 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2415 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для QM6020P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM6020P даташит

 ..1. Size:304K  ubiq
 qm6020p.pdf pdf_icon

QM6020P

QM6020P N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM6020P is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 60V 2.8m 242A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM6020P meet the RoHS and Green Product requirement , 1

 8.1. Size:347K  ubiq
 qm6020ap.pdf pdf_icon

QM6020P

QM6020AP N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM6020AP is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 60V 3.8m 198A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM6020AP meet the RoHS and Green Product requirement

Другие IGBT... QM6015B, QM6015D, QM6015S, QM6016D, QM6016F, QM6016P, QM6016S, QM6020AP, 10N65, QM6204S, QM6208S, QM6208V, QM6214Q, QM6214S, QM6301S, QM7018AD, QM7020P