QM6301S Todos los transistores

 

QM6301S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QM6301S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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QM6301S Datasheet (PDF)

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QM6301S

QM6301S N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM6301S is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell 60V 30m 8Adensity , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter -60V 60m -5.7Aapplications . Applications The QM6301S meet the RoHS and

Otros transistores... QM6016S , QM6020AP , QM6020P , QM6204S , QM6208S , QM6208V , QM6214Q , QM6214S , 2N60 , QM7018AD , QM7020P , QM8014D , QM8014U , QM8205V , QN7002 , QS5K2 , QS5U12 .

History: VBZE75N03 | 2SK4212-ZK | FKP253 | PTF8N65 | BRCS120N03DP | PZ5203QV | HTD2K1P10

 

 
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