QM6301S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QM6301S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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QM6301S datasheet

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QM6301S

QM6301S N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM6301S is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell 60V 30m 8A density , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter -60V 60m -5.7A applications . Applications The QM6301S meet the RoHS and

Otros transistores... QM6016S, QM6020AP, QM6020P, QM6204S, QM6208S, QM6208V, QM6214Q, QM6214S, 20N50, QM7018AD, QM7020P, QM8014D, QM8014U, QM8205V, QN7002, QS5K2, QS5U12