QM6301S Todos los transistores

 

QM6301S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QM6301S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

QM6301S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:400K  ubiq
 qm6301s.pdf pdf_icon

QM6301S

QM6301S N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM6301S is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell 60V 30m 8Adensity , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter -60V 60m -5.7Aapplications . Applications The QM6301S meet the RoHS and

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: JFFM8N80C | IRFN150SMD | CJND2004 | PTP12N65 | FCH47N60FF085 | 2N6904 | SRC65R230BS

 

 
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