QM6301S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QM6301S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для QM6301S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM6301S даташит

 ..1. Size:400K  ubiq
 qm6301s.pdf pdf_icon

QM6301S

QM6301S N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM6301S is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell 60V 30m 8A density , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter -60V 60m -5.7A applications . Applications The QM6301S meet the RoHS and

Другие IGBT... QM6016S, QM6020AP, QM6020P, QM6204S, QM6208S, QM6208V, QM6214Q, QM6214S, IRF1405, QM7018AD, QM7020P, QM8014D, QM8014U, QM8205V, QN7002, QS5K2, QS5U12