QM6301S - аналоги и даташиты транзистора

 

QM6301S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: QM6301S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для QM6301S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM6301S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:400K  ubiq
 qm6301s.pdf pdf_icon

QM6301S

QM6301S N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM6301S is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell 60V 30m 8Adensity , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter -60V 60m -5.7Aapplications . Applications The QM6301S meet the RoHS and

Другие MOSFET... QM6016S , QM6020AP , QM6020P , QM6204S , QM6208S , QM6208V , QM6214Q , QM6214S , IRF530 , QM7018AD , QM7020P , QM8014D , QM8014U , QM8205V , QN7002 , QS5K2 , QS5U12 .

History: JMSH1003AGQ | IPT60R022S7 | STP4N150 | IRF1018EPBF | FDD45AN06LA0 | JMSH1018PE | JMSH1003NC

 

 
Back to Top

 


 
.