QM8014D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: QM8014D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET QM8014D

QM8014D Datasheet (PDF)

..1. Size:350K ubiq
qm8014d.pdf

QM8014D N-Ch 80V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM8014D is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 80V 100m 11.8Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM8014D meet the RoHS and Green Product requirement ,

8.1. Size:347K ubiq
qm8014u.pdf

QM8014U N-Ch 80V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM8014U is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 80V 100m 11.8Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM8014U meet the RoHS and Green Product requirement ,

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