QM8014D datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: QM8014D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для QM8014D
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
QM8014D даташит
qm8014d.pdf
QM8014D N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM8014D is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 80V 100m 11.8A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM8014D meet the RoHS and Green Product requirement ,
qm8014u.pdf
QM8014U N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM8014U is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 80V 100m 11.8A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM8014U meet the RoHS and Green Product requirement ,
Другие IGBT... QM6204S, QM6208S, QM6208V, QM6214Q, QM6214S, QM6301S, QM7018AD, QM7020P, STF13NM60N, QM8014U, QM8205V, QN7002, QS5K2, QS5U12, QS5U13, QS5U16, QS5U17
History: IRF7807VD1PBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
Popular searches
b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139


