QM8205V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: QM8205V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 10.4 nC
   Tiempo de subida (tr): 9.8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 66 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6

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QM8205V Datasheet (PDF)

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QM8205V Dual N-Ch Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM8205V is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 20V 25m 6Afor most of the small power switching and load switch applications. The QM8205V meet the RoHS and Green Product requirement with full

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Liste

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