QM8205V Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QM8205V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: TSOP6

 Búsqueda de reemplazo de QM8205V MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

QM8205V datasheet

 ..1. Size:355K  ubiq
 qm8205v.pdf pdf_icon

QM8205V

QM8205V Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM8205V is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 20V 25m 6A for most of the small power switching and load switch applications. The QM8205V meet the RoHS and Green Product requirement with full

Otros transistores... QM6208V, QM6214Q, QM6214S, QM6301S, QM7018AD, QM7020P, QM8014D, QM8014U, 2N60, QN7002, QS5K2, QS5U12, QS5U13, QS5U16, QS5U17, QS5U21, QS5U23