QM8205V datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QM8205V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для QM8205V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM8205V даташит

 ..1. Size:355K  ubiq
 qm8205v.pdf pdf_icon

QM8205V

QM8205V Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM8205V is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 20V 25m 6A for most of the small power switching and load switch applications. The QM8205V meet the RoHS and Green Product requirement with full

Другие IGBT... QM6208V, QM6214Q, QM6214S, QM6301S, QM7018AD, QM7020P, QM8014D, QM8014U, 2N60, QN7002, QS5K2, QS5U12, QS5U13, QS5U16, QS5U17, QS5U21, QS5U23