Справочник MOSFET. QM8205V

 

QM8205V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QM8205V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

QM8205V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  ubiq
 qm8205v.pdf pdf_icon

QM8205V

QM8205V Dual N-Ch Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM8205V is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 20V 25m 6Afor most of the small power switching and load switch applications. The QM8205V meet the RoHS and Green Product requirement with full

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: KML0D6NP20EA | APT12060B2VFRG | AP2311GN-HF | TPCM8006 | PSMN0R9-25YLD | FC591601 | AG7N60S

 

 
Back to Top

 


 
.