QS5K2 Todos los transistores

 

QS5K2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QS5K2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT5
 

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QS5K2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:53K  rohm
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QS5K2

QS5K2 Transistors 2.5V Drive Nch+Nch MOSFET QS5K2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT51.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95 Features (5) (4)1) Low On-resistance. 3) Space saving, small surface mount package (TSMT5). 0~0.1(1) (2) (3)0.4 0.16 ApplicationsEach lead has same dimensionsSwitching Abbreviated symbol : K02 Packaging s

Otros transistores... QM6214S , QM6301S , QM7018AD , QM7020P , QM8014D , QM8014U , QM8205V , QN7002 , P60NF06 , QS5U12 , QS5U13 , QS5U16 , QS5U17 , QS5U21 , QS5U23 , QS5U26 , QS5U27 .

History: IRFS9521

 

 
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