QS5K2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: QS5K2
   Código: TR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET QS5K2

QS5K2 Datasheet (PDF)

..1. Size:53K rohm
qs5k2.pdf

QS5K2 Transistors 2.5V Drive Nch+Nch MOSFET QS5K2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT51.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95 Features (5) (4)1) Low On-resistance. 3) Space saving, small surface mount package (TSMT5). 0~0.1(1) (2) (3)0.4 0.16 ApplicationsEach lead has same dimensionsSwitching Abbreviated symbol : K02 Packaging s

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History: XP161

Liste

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