QS5K2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QS5K2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TSMT5

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QS5K2 datasheet

..1. Size:53K rohm
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QS5K2 Transistors 2.5V Drive Nch+Nch MOSFET QS5K2 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT5 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.7 0.95 0.95 Features (5) (4) 1) Low On-resistance. 3) Space saving, small surface mount package (TSMT5). 0 0.1 (1) (2) (3) 0.4 0.16 Applications Each lead has same dimensions Switching Abbreviated symbol K02 Packaging s

Otros transistores... QM6214S, QM6301S, QM7018AD, QM7020P, QM8014D, QM8014U, QM8205V, QN7002, P60NF06, QS5U12, QS5U13, QS5U16, QS5U17, QS5U21, QS5U23, QS5U26, QS5U27

QS5K2 Datasheet. Equivalente