QS5K2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QS5K2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TSMT5

Аналог (замена) для QS5K2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS5K2 даташит

 ..1. Size:53K  rohm
 qs5k2.pdf pdf_icon

QS5K2

QS5K2 Transistors 2.5V Drive Nch+Nch MOSFET QS5K2 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT5 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.7 0.95 0.95 Features (5) (4) 1) Low On-resistance. 3) Space saving, small surface mount package (TSMT5). 0 0.1 (1) (2) (3) 0.4 0.16 Applications Each lead has same dimensions Switching Abbreviated symbol K02 Packaging s

Другие IGBT... QM6214S, QM6301S, QM7018AD, QM7020P, QM8014D, QM8014U, QM8205V, QN7002, P60NF06, QS5U12, QS5U13, QS5U16, QS5U17, QS5U21, QS5U23, QS5U26, QS5U27