QS5K2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: QS5K2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: TSMT5
Аналог (замена) для QS5K2
QS5K2 Datasheet (PDF)
qs5k2.pdf

QS5K2 Transistors 2.5V Drive Nch+Nch MOSFET QS5K2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT51.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95 Features (5) (4)1) Low On-resistance. 3) Space saving, small surface mount package (TSMT5). 0~0.1(1) (2) (3)0.4 0.16 ApplicationsEach lead has same dimensionsSwitching Abbreviated symbol : K02 Packaging s
Другие MOSFET... QM6214S , QM6301S , QM7018AD , QM7020P , QM8014D , QM8014U , QM8205V , QN7002 , MMIS60R580P , QS5U12 , QS5U13 , QS5U16 , QS5U17 , QS5U21 , QS5U23 , QS5U26 , QS5U27 .
History: FDFMA2P853 | FDFMA2P029Z | FDFMA2P859T
History: FDFMA2P853 | FDFMA2P029Z | FDFMA2P859T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g