QS5U17 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: QS5U17
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET QS5U17

QS5U17 Datasheet (PDF)

..1. Size:69K rohm
qs5u17.pdf

QS5U17 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOS FET QS5U17 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U17 combines Nch MOSFET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switc

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QS5U13 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOS FET QS5U13 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U13 combines Nch MOSFET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switc

9.2. Size:69K rohm
qs5u12.pdf

QS5U12 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOS FET QS5U12 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U12 combines Nch MOSFET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switc

9.3. Size:69K rohm
qs5u16.pdf

QS5U16 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOS FET QS5U16 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U16 combines Nch MOSFET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switc

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History: P6402FMG | FHP50N06

Liste

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