QS5U17 - аналоги и даташиты транзистора

 

QS5U17 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: QS5U17
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TSMT5
 

 Аналог (замена) для QS5U17

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS5U17 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  rohm
 qs5u17.pdf pdf_icon

QS5U17

QS5U17 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOS FET QS5U17 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U17 combines Nch MOSFET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switc

 9.1. Size:69K  rohm
 qs5u13.pdf pdf_icon

QS5U17

QS5U13 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOS FET QS5U13 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U13 combines Nch MOSFET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switc

 9.2. Size:69K  rohm
 qs5u12.pdf pdf_icon

QS5U17

QS5U12 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOS FET QS5U12 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U12 combines Nch MOSFET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switc

 9.3. Size:69K  rohm
 qs5u16.pdf pdf_icon

QS5U17

QS5U16 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOS FET QS5U16 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U16 combines Nch MOSFET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... QM8014D , QM8014U , QM8205V , QN7002 , QS5K2 , QS5U12 , QS5U13 , QS5U16 , IRF1405 , QS5U21 , QS5U23 , QS5U26 , QS5U27 , QS5U33 , QS5U34 , QS5U36 , QS6J11 .

History: SVGP159R3NL5ATR | FXN0607CN | QS5U21 | QS5U23 | IRF3808L | FDFS2P102 | QS5U26

 

 
Back to Top

 


 
.