QS5U17 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: QS5U17
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.8 nC
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: TSMT5
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
QS5U17 Datasheet (PDF)
qs5u17.pdf

QS5U17 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOS FET QS5U17 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U17 combines Nch MOSFET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switc
qs5u13.pdf

QS5U13 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOS FET QS5U13 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U13 combines Nch MOSFET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switc
qs5u12.pdf

QS5U12 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOS FET QS5U12 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U12 combines Nch MOSFET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switc
qs5u16.pdf

QS5U16 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOS FET QS5U16 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U16 combines Nch MOSFET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switc
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: IRLML0040TRPBF | APT10040LVR | STP5NB40 | BUZ11A | TSB15N06A | TK16A60W5 | 2SK3532
History: IRLML0040TRPBF | APT10040LVR | STP5NB40 | BUZ11A | TSB15N06A | TK16A60W5 | 2SK3532



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124