QS6J11 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QS6J11

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm

Encapsulados: TSMT6

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QS6J11 datasheet

 ..1. Size:558K  rohm
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QS6J11

QS6J11 Dual Pch -12V -2.0A Power MOSFET Datasheet lOutline (6) VDSS TSMT6 -12V (5) (4) RDS(on) (Max.) 105mW ID -2A (1) (2) PD 1.25W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Tr1 Gate (4) Tr2 Drain 2) Built-in G-S Protection Diode. (2) Tr2 Source (5) Tr1 Source (3) Tr2 Gate (6) Tr1 Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). *1 ESD PROTECTION DIO

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