Справочник MOSFET. QS6J11

 

QS6J11 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: QS6J11
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6

 Аналог (замена) для QS6J11

 

 

QS6J11 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:558K  rohm
 qs6j11.pdf

QS6J11 QS6J11

QS6J11 Dual Pch -12V -2.0A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS TSMT6 -12V(5) (4) RDS(on) (Max.)105mWID-2A (1) (2) PD1.25W (3) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Tr1 Gate (4) Tr2 Drain 2) Built-in G-S Protection Diode.(2) Tr2 Source (5) Tr1 Source (3) Tr2 Gate (6) Tr1 Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT6).*1 ESD PROTECTION DIO

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top