QS6J11 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QS6J11

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: TSMT6

Аналог (замена) для QS6J11

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS6J11 даташит

 ..1. Size:558K  rohm
 qs6j11.pdf pdf_icon

QS6J11

QS6J11 Dual Pch -12V -2.0A Power MOSFET Datasheet lOutline (6) VDSS TSMT6 -12V (5) (4) RDS(on) (Max.) 105mW ID -2A (1) (2) PD 1.25W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Tr1 Gate (4) Tr2 Drain 2) Built-in G-S Protection Diode. (2) Tr2 Source (5) Tr1 Source (3) Tr2 Gate (6) Tr1 Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). *1 ESD PROTECTION DIO

Другие IGBT... QS5U17, QS5U21, QS5U23, QS5U26, QS5U27, QS5U33, QS5U34, QS5U36, IRFB7545, QS6K1, QS6K21, QS6M3, QS6M4, QS6U22, QS6U24, QS8F2, QS8J11