Справочник MOSFET. QS6J11

 

QS6J11 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QS6J11
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

QS6J11 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:558K  rohm
 qs6j11.pdf pdf_icon

QS6J11

QS6J11 Dual Pch -12V -2.0A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS TSMT6 -12V(5) (4) RDS(on) (Max.)105mWID-2A (1) (2) PD1.25W (3) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Tr1 Gate (4) Tr2 Drain 2) Built-in G-S Protection Diode.(2) Tr2 Source (5) Tr1 Source (3) Tr2 Gate (6) Tr1 Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT6).*1 ESD PROTECTION DIO

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: KF5N60F | SMK0460D | SI8822 | NTP2955 | OSG95R1K2PF | PMN70XPE | LR024N

 

 
Back to Top

 


 
.