QS6J11 - аналоги и даташиты транзистора

 

QS6J11 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: QS6J11
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
 

 Аналог (замена) для QS6J11

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS6J11 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:558K  rohm
 qs6j11.pdf pdf_icon

QS6J11

QS6J11 Dual Pch -12V -2.0A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS TSMT6 -12V(5) (4) RDS(on) (Max.)105mWID-2A (1) (2) PD1.25W (3) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Tr1 Gate (4) Tr2 Drain 2) Built-in G-S Protection Diode.(2) Tr2 Source (5) Tr1 Source (3) Tr2 Gate (6) Tr1 Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT6).*1 ESD PROTECTION DIO

Другие MOSFET... QS5U17 , QS5U21 , QS5U23 , QS5U26 , QS5U27 , QS5U33 , QS5U34 , QS5U36 , IRFB7545 , QS6K1 , QS6K21 , QS6M3 , QS6M4 , QS6U22 , QS6U24 , QS8F2 , QS8J11 .

History: STP3N80K5 | VBL165R10 | FDPF7N50 | IPA50R950CE | IPP60R099C6 | INJ0003AC1 | H5N5006LD

 

 
Back to Top

 


 
.