QS6K1 Todos los transistores

 

QS6K1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QS6K1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.238 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6
 

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QS6K1 Datasheet (PDF)

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QS6K1

QS6K1 Transistors 2.5V Drive Nch+Nch MOS FET QS6K1 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel TSMT6MOS FET 1.0MAX2.90.851.9 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 0~0.1(1) (2) (3)2) Built-in G-S Protection Diode. 1pin mark3) Small and Surface Mount Package (TSMT6). 0.160.4Each lead has same dimensions Applicatio

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History: NCE65N330R | PMN230ENEA

 

 
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