QS6K1 Todos los transistores

 

QS6K1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QS6K1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.238 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6
 

 Búsqueda de reemplazo de QS6K1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

QS6K1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  rohm
 qs6k1.pdf pdf_icon

QS6K1

QS6K1 Transistors 2.5V Drive Nch+Nch MOS FET QS6K1 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel TSMT6MOS FET 1.0MAX2.90.851.9 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 0~0.1(1) (2) (3)2) Built-in G-S Protection Diode. 1pin mark3) Small and Surface Mount Package (TSMT6). 0.160.4Each lead has same dimensions Applicatio

Otros transistores... QS5U21 , QS5U23 , QS5U26 , QS5U27 , QS5U33 , QS5U34 , QS5U36 , QS6J11 , EMB04N03H , QS6K21 , QS6M3 , QS6M4 , QS6U22 , QS6U24 , QS8F2 , QS8J11 , QS8J12 .

 

 
Back to Top

 


 
.