QS6K1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QS6K1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.238 Ohm

Encapsulados: TSMT6

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QS6K1 datasheet

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QS6K1

QS6K1 Transistors 2.5V Drive Nch+Nch MOS FET QS6K1 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel TSMT6 MOS FET 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 0 0.1 (1) (2) (3) 2) Built-in G-S Protection Diode. 1pin mark 3) Small and Surface Mount Package (TSMT6). 0.16 0.4 Each lead has same dimensions Applicatio

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