Справочник MOSFET. QS6K1

 

QS6K1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QS6K1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.238 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
 

 Аналог (замена) для QS6K1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS6K1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  rohm
 qs6k1.pdf pdf_icon

QS6K1

QS6K1 Transistors 2.5V Drive Nch+Nch MOS FET QS6K1 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel TSMT6MOS FET 1.0MAX2.90.851.9 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 0~0.1(1) (2) (3)2) Built-in G-S Protection Diode. 1pin mark3) Small and Surface Mount Package (TSMT6). 0.160.4Each lead has same dimensions Applicatio

Другие MOSFET... QS5U21 , QS5U23 , QS5U26 , QS5U27 , QS5U33 , QS5U34 , QS5U36 , QS6J11 , EMB04N03H , QS6K21 , QS6M3 , QS6M4 , QS6U22 , QS6U24 , QS8F2 , QS8J11 , QS8J12 .

History: AP9992AGI-HF | CS4N65A3TDY | VBMB1606 | BL4N60A-P | SVS70R420SE3TR | PC015HVA | APT6035BVFRG

 

 
Back to Top

 


 
.