QS6K1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QS6K1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.238 Ohm

Тип корпуса: TSMT6

Аналог (замена) для QS6K1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS6K1 даташит

 ..1. Size:59K  rohm
 qs6k1.pdf pdf_icon

QS6K1

QS6K1 Transistors 2.5V Drive Nch+Nch MOS FET QS6K1 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel TSMT6 MOS FET 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 0 0.1 (1) (2) (3) 2) Built-in G-S Protection Diode. 1pin mark 3) Small and Surface Mount Package (TSMT6). 0.16 0.4 Each lead has same dimensions Applicatio

Другие IGBT... QS5U21, QS5U23, QS5U26, QS5U27, QS5U33, QS5U34, QS5U36, QS6J11, AON7403, QS6K21, QS6M3, QS6M4, QS6U22, QS6U24, QS8F2, QS8J11, QS8J12