PHT8N06LT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHT8N06LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 13 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: SOT223

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PHT8N06LT datasheet

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PHT8N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT8N06LT Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 V mounting. The device features very ID Drain current 7.5 A low on-state resistance

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PHT8N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT8N06T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 V mounting. Using trench technolgy ID Drain current 7.5 A the device feature

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