PHT8N06LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHT8N06LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 8.3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 55 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 13 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 11.2 nC
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.08 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHT8N06LT
PHT8N06LT Datasheet (PDF)
pht8n06lt.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT8N06LT Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 Vmounting. The device features very ID Drain current 7.5 Alow on-state resistance
pht8n06t 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT8N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 Vmounting. Using trench technolgy ID Drain current 7.5 Athe device feature
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