PHT8N06LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHT8N06LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 13 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 11.2 nC
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de PHT8N06LT MOSFET
PHT8N06LT Datasheet (PDF)
pht8n06lt.pdf

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT8N06LT Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 Vmounting. The device features very ID Drain current 7.5 Alow on-state resistance
pht8n06t 1.pdf

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT8N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 Vmounting. Using trench technolgy ID Drain current 7.5 Athe device feature
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History: APT50M85JVFR | FQP4N90C | FQP4N80
History: APT50M85JVFR | FQP4N90C | FQP4N80



Liste
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