PHT8N06LT Todos los transistores

 

PHT8N06LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHT8N06LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 13 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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PHT8N06LT Datasheet (PDF)

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PHT8N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT8N06LT Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 Vmounting. The device features very ID Drain current 7.5 Alow on-state resistance

 7.1. Size:58K  philips
 pht8n06t 1.pdf pdf_icon

PHT8N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT8N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 Vmounting. Using trench technolgy ID Drain current 7.5 Athe device feature

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History: IRFPS3810 | IRFP3306 | IRFP90N20D | IRFP1405 | IRFP4768 | IRFP4321

 

 
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