PHT8N06LT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHT8N06LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 13 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для PHT8N06LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHT8N06LT даташит

 ..1. Size:51K  philips
 pht8n06lt.pdf pdf_icon

PHT8N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT8N06LT Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 V mounting. The device features very ID Drain current 7.5 A low on-state resistance

 7.1. Size:58K  philips
 pht8n06t 1.pdf pdf_icon

PHT8N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT8N06T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 V mounting. Using trench technolgy ID Drain current 7.5 A the device feature

Другие IGBT... PHP7N60E, PHP80N06LT, PHP87N03LT, PHP8N50E, PHP8ND50E, PHT11N06LT, PHT6N03LT, PHT6N06LT, IRF730, PHW11N50E, PHW14N50E, PHW20N50E, PHW7N60E, PHW8N50E, PHW8ND50E, PHW9N60E, PHX2N50E