Справочник MOSFET. PHT8N06LT

 

PHT8N06LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHT8N06LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 13 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11.2 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для PHT8N06LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHT8N06LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  philips
 pht8n06lt.pdf pdf_icon

PHT8N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT8N06LT Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 Vmounting. The device features very ID Drain current 7.5 Alow on-state resistance

 7.1. Size:58K  philips
 pht8n06t 1.pdf pdf_icon

PHT8N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT8N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 Vmounting. Using trench technolgy ID Drain current 7.5 Athe device feature

Другие MOSFET... PHP7N60E , PHP80N06LT , PHP87N03LT , PHP8N50E , PHP8ND50E , PHT11N06LT , PHT6N03LT , PHT6N06LT , BS170 , PHW11N50E , PHW14N50E , PHW20N50E , PHW7N60E , PHW8N50E , PHW8ND50E , PHW9N60E , PHX2N50E .

 

 
Back to Top

 


 
.