QS6K21 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QS6K21

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 45 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm

Encapsulados: TSMT6

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QS6K21 datasheet

 ..1. Size:468K  rohm
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QS6K21

QS6K21 Nch 45V 1A Power MOSFET Datasheet lOutline (6) VDSS 45V (5) TSMT6 (4) RDS(on) (Max.) 420mW (1) ID 1A (2) PD 1.25W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Tr1 Gate (2) Tr2 Source 2) Built-in G-S Protection Diode. (3) Tr2 Gate (4) Tr2 Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). (5) Tr1 Source (6) Tr1 Drain 4) Pb-free lead plating

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