QS6K21 Todos los transistores

 

QS6K21 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QS6K21
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6
 

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QS6K21 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:468K  rohm
 qs6k21.pdf pdf_icon

QS6K21

QS6K21 Nch 45V 1A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS45V(5) TSMT6(4) RDS(on) (Max.)420mW(1) ID1A(2) PD1.25W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Tr1 Gate (2) Tr2 Source 2) Built-in G-S Protection Diode.(3) Tr2 Gate (4) Tr2 Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT6).(5) Tr1 Source (6) Tr1 Drain 4) Pb-free lead plating

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History: HFP12N65U | IPA60R600P7 | VBL165R10 | INJ0003AC1 | H5N5006LM | IPA50R950CE | H7N0405LD

 

 
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