QS6K21 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QS6K21

Маркировка: K21

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1.5 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm

Тип корпуса: TSMT6

Аналог (замена) для QS6K21

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS6K21 даташит

 ..1. Size:468K  rohm
 qs6k21.pdf pdf_icon

QS6K21

QS6K21 Nch 45V 1A Power MOSFET Datasheet lOutline (6) VDSS 45V (5) TSMT6 (4) RDS(on) (Max.) 420mW (1) ID 1A (2) PD 1.25W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Tr1 Gate (2) Tr2 Source 2) Built-in G-S Protection Diode. (3) Tr2 Gate (4) Tr2 Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). (5) Tr1 Source (6) Tr1 Drain 4) Pb-free lead plating

Другие IGBT... QS5U23, QS5U26, QS5U27, QS5U33, QS5U34, QS5U36, QS6J11, QS6K1, K2611, QS6M3, QS6M4, QS6U22, QS6U24, QS8F2, QS8J11, QS8J12, QS8J13