QS6M3 Todos los transistores

 

QS6M3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QS6M3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6
 

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QS6M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:86K  rohm
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QS6M3

QS6M3 Transistors 2.5V Drive Nch+Pch MOSFET QS6M3 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel / P-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 0~0.1(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (TSMT6). 1pin mark 0.160.4Each lead has same dimensions Application Abb

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History: NDD01N60 | NDBA180N10B | IPA60R360CFD7 | IPA50R950CE | HFP10N80 | INJ0003AC1 | NDD02N40

 

 
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