Справочник MOSFET. QS6M3

 

QS6M3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QS6M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
 

 Аналог (замена) для QS6M3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS6M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:86K  rohm
 qs6m3.pdf pdf_icon

QS6M3

QS6M3 Transistors 2.5V Drive Nch+Pch MOSFET QS6M3 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel / P-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 0~0.1(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (TSMT6). 1pin mark 0.160.4Each lead has same dimensions Application Abb

Другие MOSFET... QS5U26 , QS5U27 , QS5U33 , QS5U34 , QS5U36 , QS6J11 , QS6K1 , QS6K21 , 2SK3918 , QS6M4 , QS6U22 , QS6U24 , QS8F2 , QS8J11 , QS8J12 , QS8J13 , QS8J2 .

History: HD2302 | TPCA8A09-H | WM02P20G | DMG3413L | TF68N80 | STL9N60M2 | IPB083N10N3G

 

 
Back to Top

 


 
.