QS6M3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QS6M3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1.6 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: TSMT6

Аналог (замена) для QS6M3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS6M3 даташит

 ..1. Size:86K  rohm
 qs6m3.pdf pdf_icon

QS6M3

QS6M3 Transistors 2.5V Drive Nch+Pch MOSFET QS6M3 Dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel / P-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 0 0.1 (1) (2) (3) 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). 1pin mark 0.16 0.4 Each lead has same dimensions Application Abb

Другие IGBT... QS5U26, QS5U27, QS5U33, QS5U34, QS5U36, QS6J11, QS6K1, QS6K21, EMB04N03H, QS6M4, QS6U22, QS6U24, QS8F2, QS8J11, QS8J12, QS8J13, QS8J2