Справочник MOSFET. QS6M3

 

QS6M3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QS6M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

QS6M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:86K  rohm
 qs6m3.pdf pdf_icon

QS6M3

QS6M3 Transistors 2.5V Drive Nch+Pch MOSFET QS6M3 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel / P-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 0~0.1(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (TSMT6). 1pin mark 0.160.4Each lead has same dimensions Application Abb

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AOD950A70 | SI4487DY

 

 
Back to Top

 


 
.