QS6M4 Todos los transistores

 

QS6M4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QS6M4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6
     - Selección de transistores por parámetros

 

QS6M4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:77K  rohm
 qs6m4.pdf pdf_icon

QS6M4

QS6M4 Transistors 2.5V Drive Nch+Pch MOSFET QS6M4 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TSMT6Silicon N-channel MOSFET 1.0MAX2.90.851.9 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4) Features 1) The QS6M4 combines Pch MOSFET with a Nch 0~0.1(1) (2) (3)MOSFET in a single TSMT6 package. 1pin mark2) Low on-state resistance with a fast switching. 0.160.4

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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