QS6M4 Todos los transistores

 

QS6M4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QS6M4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6
 

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QS6M4 Datasheet (PDF)

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QS6M4

QS6M4 Transistors 2.5V Drive Nch+Pch MOSFET QS6M4 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TSMT6Silicon N-channel MOSFET 1.0MAX2.90.851.9 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4) Features 1) The QS6M4 combines Pch MOSFET with a Nch 0~0.1(1) (2) (3)MOSFET in a single TSMT6 package. 1pin mark2) Low on-state resistance with a fast switching. 0.160.4

Otros transistores... QS5U27 , QS5U33 , QS5U34 , QS5U36 , QS6J11 , QS6K1 , QS6K21 , QS6M3 , RU7088R , QS6U22 , QS6U24 , QS8F2 , QS8J11 , QS8J12 , QS8J13 , QS8J2 , QS8J4 .

History: VBMB165R12 | INJ0203BC1 | APT31M100B2 | INJ0002AC1 | QS6U22 | INJ0002AM1 | TSM10NC60CF

 

 
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