QS6M4 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QS6M4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm

Encapsulados: TSMT6

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QS6M4 datasheet

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QS6M4

QS6M4 Transistors 2.5V Drive Nch+Pch MOSFET QS6M4 Dimensions (Unit mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TSMT6 Silicon N-channel MOSFET 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) Features 1) The QS6M4 combines Pch MOSFET with a Nch 0 0.1 (1) (2) (3) MOSFET in a single TSMT6 package. 1pin mark 2) Low on-state resistance with a fast switching. 0.16 0.4

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