QS6M4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QS6M4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: TSMT6

Аналог (замена) для QS6M4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS6M4 даташит

 ..1. Size:77K  rohm
 qs6m4.pdf pdf_icon

QS6M4

QS6M4 Transistors 2.5V Drive Nch+Pch MOSFET QS6M4 Dimensions (Unit mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TSMT6 Silicon N-channel MOSFET 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) Features 1) The QS6M4 combines Pch MOSFET with a Nch 0 0.1 (1) (2) (3) MOSFET in a single TSMT6 package. 1pin mark 2) Low on-state resistance with a fast switching. 0.16 0.4

Другие IGBT... QS5U27, QS5U33, QS5U34, QS5U36, QS6J11, QS6K1, QS6K21, QS6M3, RU7088R, QS6U22, QS6U24, QS8F2, QS8J11, QS8J12, QS8J13, QS8J2, QS8J4