QS6M4 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: QS6M4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
Тип корпуса: TSMT6
Аналог (замена) для QS6M4
QS6M4 Datasheet (PDF)
qs6m4.pdf

QS6M4 Transistors 2.5V Drive Nch+Pch MOSFET QS6M4 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TSMT6Silicon N-channel MOSFET 1.0MAX2.90.851.9 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4) Features 1) The QS6M4 combines Pch MOSFET with a Nch 0~0.1(1) (2) (3)MOSFET in a single TSMT6 package. 1pin mark2) Low on-state resistance with a fast switching. 0.160.4
Другие MOSFET... QS5U27 , QS5U33 , QS5U34 , QS5U36 , QS6J11 , QS6K1 , QS6K21 , QS6M3 , AON7403 , QS6U22 , QS6U24 , QS8F2 , QS8J11 , QS8J12 , QS8J13 , QS8J2 , QS8J4 .
History: VBQA1405 | IRF610LPBF | P2806ATF | APT5026HVR | 2SJ471 | RJK0852DPB | APT5020SVR
History: VBQA1405 | IRF610LPBF | P2806ATF | APT5026HVR | 2SJ471 | RJK0852DPB | APT5020SVR



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273