Справочник MOSFET. QS6M4

 

QS6M4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QS6M4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
 

 Аналог (замена) для QS6M4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS6M4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:77K  rohm
 qs6m4.pdf pdf_icon

QS6M4

QS6M4 Transistors 2.5V Drive Nch+Pch MOSFET QS6M4 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TSMT6Silicon N-channel MOSFET 1.0MAX2.90.851.9 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4) Features 1) The QS6M4 combines Pch MOSFET with a Nch 0~0.1(1) (2) (3)MOSFET in a single TSMT6 package. 1pin mark2) Low on-state resistance with a fast switching. 0.160.4

Другие MOSFET... QS5U27 , QS5U33 , QS5U34 , QS5U36 , QS6J11 , QS6K1 , QS6K21 , QS6M3 , MMD60R360PRH , QS6U22 , QS6U24 , QS8F2 , QS8J11 , QS8J12 , QS8J13 , QS8J2 , QS8J4 .

History: SE20N110 | DMN2990UDJ

 

 
Back to Top

 


 
.