QS6U22 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QS6U22

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.215 Ohm

Encapsulados: TSMT6

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QS6U22 datasheet

 ..1. Size:68K  rohm
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QS6U22

QS6U22 Transistors 2.5V Drive Pch+SBD MOS FET QS6U22 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT6 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) Features 1) The QS6U22 combines Pch MOS FET with a Schottky 0 0.1 barrier diode in a TSMT6 package. (1) (2) (3) 1pin mark 2) Low on-state resistance with fast switching.

 9.1. Size:66K  rohm
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QS6U22

QS6U24 Transistor 4V Drive Pch+SBD MOS FET QS6U24 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT6 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) Features 1) The QS6U24 combines Pch MOS FET with a 0 0.1 Schottky barrier diode in a TSMT6 package. (1) (2) (3) 1pin mark 2) Low on-state resisternce with a fast switchi

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