QS6U22 Todos los transistores

 

QS6U22 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QS6U22
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.215 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6
 

 Búsqueda de reemplazo de QS6U22 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

QS6U22 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  rohm
 qs6u22.pdf pdf_icon

QS6U22

QS6U22 Transistors 2.5V Drive Pch+SBD MOS FET QS6U22 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT6Schottky Barrier DIODE 1.0MAX2.90.851.9 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4) Features 1) The QS6U22 combines Pch MOS FET with a Schottky 0~0.1barrier diode in a TSMT6 package. (1) (2) (3)1pin mark2) Low on-state resistance with fast switching.

 9.1. Size:66K  rohm
 qs6u24.pdf pdf_icon

QS6U22

QS6U24 Transistor 4V Drive Pch+SBD MOS FET QS6U24 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT6Schottky Barrier DIODE 1.0MAX2.90.851.90.95 0.95 0.7(6) (5) (4) Features 1) The QS6U24 combines Pch MOS FET with a 0~0.1 Schottky barrier diode in a TSMT6 package. (1) (2) (3)1pin mark2) Low on-state resisternce with a fast switchi

Otros transistores... QS5U33 , QS5U34 , QS5U36 , QS6J11 , QS6K1 , QS6K21 , QS6M3 , QS6M4 , 2N7002 , QS6U24 , QS8F2 , QS8J11 , QS8J12 , QS8J13 , QS8J2 , QS8J4 , QS8J5 .

History: FDD7N60NZTM | QM3009K | CS13N60F | 2SK1528L | AOWF9N70 | SSM3K131TU | PMXB65UPE

 

 
Back to Top

 


 
.