QS6U22 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QS6U22

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.215 Ohm

Тип корпуса: TSMT6

Аналог (замена) для QS6U22

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS6U22 даташит

 ..1. Size:68K  rohm
 qs6u22.pdf pdf_icon

QS6U22

QS6U22 Transistors 2.5V Drive Pch+SBD MOS FET QS6U22 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT6 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) Features 1) The QS6U22 combines Pch MOS FET with a Schottky 0 0.1 barrier diode in a TSMT6 package. (1) (2) (3) 1pin mark 2) Low on-state resistance with fast switching.

 9.1. Size:66K  rohm
 qs6u24.pdf pdf_icon

QS6U22

QS6U24 Transistor 4V Drive Pch+SBD MOS FET QS6U24 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT6 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) Features 1) The QS6U24 combines Pch MOS FET with a 0 0.1 Schottky barrier diode in a TSMT6 package. (1) (2) (3) 1pin mark 2) Low on-state resisternce with a fast switchi

Другие IGBT... QS5U33, QS5U34, QS5U36, QS6J11, QS6K1, QS6K21, QS6M3, QS6M4, MMIS60R580P, QS6U24, QS8F2, QS8J11, QS8J12, QS8J13, QS8J2, QS8J4, QS8J5