Справочник MOSFET. QS6U22

 

QS6U22 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QS6U22
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.215 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
 

 Аналог (замена) для QS6U22

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS6U22 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  rohm
 qs6u22.pdf pdf_icon

QS6U22

QS6U22 Transistors 2.5V Drive Pch+SBD MOS FET QS6U22 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT6Schottky Barrier DIODE 1.0MAX2.90.851.9 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4) Features 1) The QS6U22 combines Pch MOS FET with a Schottky 0~0.1barrier diode in a TSMT6 package. (1) (2) (3)1pin mark2) Low on-state resistance with fast switching.

 9.1. Size:66K  rohm
 qs6u24.pdf pdf_icon

QS6U22

QS6U24 Transistor 4V Drive Pch+SBD MOS FET QS6U24 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT6Schottky Barrier DIODE 1.0MAX2.90.851.90.95 0.95 0.7(6) (5) (4) Features 1) The QS6U24 combines Pch MOS FET with a 0~0.1 Schottky barrier diode in a TSMT6 package. (1) (2) (3)1pin mark2) Low on-state resisternce with a fast switchi

Другие MOSFET... QS5U33 , QS5U34 , QS5U36 , QS6J11 , QS6K1 , QS6K21 , QS6M3 , QS6M4 , 2N7002 , QS6U24 , QS8F2 , QS8J11 , QS8J12 , QS8J13 , QS8J2 , QS8J4 , QS8J5 .

History: AM40P10-200P | IPD082N10N3G

 

 
Back to Top

 


 
.