QS8F2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QS8F2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.061 Ohm

Encapsulados: TSMT8

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QS8F2 datasheet

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QS8F2

Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET + PNP TRANSISTOR QS8F2 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET/ TSMT8 (8) (7) (6) (5) PNP TRANSISTOR Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(1.5V drive). Abbreviated symbol F02 Application Switching Packaging specifications Inner circuit (8) (7)

Otros transistores... QS5U36, QS6J11, QS6K1, QS6K21, QS6M3, QS6M4, QS6U22, QS6U24, AO4407A, QS8J11, QS8J12, QS8J13, QS8J2, QS8J4, QS8J5, QS8K11, QS8K13