QS8F2 Todos los transistores

 

QS8F2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QS8F2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.25 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 12 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1 V

Carga de compuerta (Qg): 13 nC

Tiempo de elevación (tr): 35 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 130 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.061 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSMT8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET QS8F2

 

QS8F2 Datasheet (PDF)

1.1. qs8f2.pdf Size:645K _update_mosfet

QS8F2
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Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET + PNP TRANSISTOR QS8F2  Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET/ TSMT8 (8) (7) (6) (5) PNP TRANSISTOR Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(1.5V drive). Abbreviated symbol : F02  Application Switching  Packaging specifications Inner circuit (8) (7)

1.2. qs8f2.pdf Size:1301K _rohm

QS8F2
QS8F2

Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET + PNP TRANSISTOR QS8F2 ? Structure ?Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET/ TSMT8 (8) (7) (6) (5) PNP TRANSISTOR ?Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(1.5V drive). Abbreviated symbol : F02 ? Application Switching ? Packaging specifications ?Inner circuit (8) (7) (6) (5) Packa

 

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