QS8F2 Todos los transistores

 

QS8F2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QS8F2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.061 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT8
 

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QS8F2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:645K  rohm
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QS8F2

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFET + PNP TRANSISTOR QS8F2 StructureDimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFET/TSMT8(8) (7) (6) (5)PNP TRANSISTORFeatures1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package(TSMT8).3) Low voltage drive(1.5V drive).Abbreviated symbol : F02 ApplicationSwitching Packaging specificationsInner circuit(8) (7)

Otros transistores... QS5U36 , QS6J11 , QS6K1 , QS6K21 , QS6M3 , QS6M4 , QS6U22 , QS6U24 , AO4407A , QS8J11 , QS8J12 , QS8J13 , QS8J2 , QS8J4 , QS8J5 , QS8K11 , QS8K13 .

History: TK6A53D | QS6J11 | H5N5006LD | IPA50R950CE | VBL165R10 | INJ0003AC1 | STP3N80K5

 

 
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