QS8F2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QS8F2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.061 Ohm

Тип корпуса: TSMT8

Аналог (замена) для QS8F2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS8F2 даташит

 ..1. Size:645K  rohm
 qs8f2.pdf pdf_icon

QS8F2

Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET + PNP TRANSISTOR QS8F2 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET/ TSMT8 (8) (7) (6) (5) PNP TRANSISTOR Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(1.5V drive). Abbreviated symbol F02 Application Switching Packaging specifications Inner circuit (8) (7)

Другие IGBT... QS5U36, QS6J11, QS6K1, QS6K21, QS6M3, QS6M4, QS6U22, QS6U24, AO4407A, QS8J11, QS8J12, QS8J13, QS8J2, QS8J4, QS8J5, QS8K11, QS8K13