Справочник MOSFET. QS8F2

 

QS8F2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QS8F2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.061 Ohm
   Тип корпуса: TSMT8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

QS8F2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:645K  rohm
 qs8f2.pdf pdf_icon

QS8F2

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFET + PNP TRANSISTOR QS8F2 StructureDimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFET/TSMT8(8) (7) (6) (5)PNP TRANSISTORFeatures1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package(TSMT8).3) Low voltage drive(1.5V drive).Abbreviated symbol : F02 ApplicationSwitching Packaging specificationsInner circuit(8) (7)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.