Справочник MOSFET. QS8F2

 

QS8F2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: QS8F2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 12 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 13 nC

Время нарастания (tr): 35 ns

Выходная емкость (Cd): 130 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.061 Ohm

Тип корпуса: TSMT8

Аналог (замена) для QS8F2

 

QS8F2 Datasheet (PDF)

1.1. qs8f2.pdf Size:645K _update_mosfet

QS8F2 QS8F2

Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET + PNP TRANSISTOR QS8F2  Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET/ TSMT8 (8) (7) (6) (5) PNP TRANSISTOR Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(1.5V drive). Abbreviated symbol : F02  Application Switching  Packaging specifications Inner circuit (8) (7)

1.2. qs8f2.pdf Size:1301K _rohm

QS8F2 QS8F2

Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET + PNP TRANSISTOR QS8F2 ? Structure ?Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET/ TSMT8 (8) (7) (6) (5) PNP TRANSISTOR ?Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(1.5V drive). Abbreviated symbol : F02 ? Application Switching ? Packaging specifications ?Inner circuit (8) (7) (6) (5) Packa

 

Другие MOSFET... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .

 

 
Back to Top