QS8F2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: QS8F2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 12 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 13 nC
Время нарастания (tr): 35 ns
Выходная емкость (Cd): 130 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.061 Ohm
Тип корпуса: TSMT8
QS8F2 Datasheet (PDF)
1.1. qs8f2.pdf 
Size:645K _update_mosfet
Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET + PNP TRANSISTOR QS8F2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET/ TSMT8 (8) (7) (6) (5) PNP TRANSISTOR Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(1.5V drive). Abbreviated symbol : F02 Application Switching Packaging specifications Inner circuit (8) (7)
1.2. qs8f2.pdf Size:1301K _rohm
Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET + PNP TRANSISTOR QS8F2 ? Structure ?Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET/ TSMT8 (8) (7) (6) (5) PNP TRANSISTOR ?Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(1.5V drive). Abbreviated symbol : F02 ? Application Switching ? Packaging specifications ?Inner circuit (8) (7) (6) (5) Packa
Другие MOSFET... GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , IRF250 , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , GWM120-0075X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: WFD5N65L | W15NK90Z | VN1206N5 | TK13A60W | SUP70060E | STP140N6F7 | STH140N6F7 | STD140N6F7 | SIHG47N60AEF | R6018JNX | PSMN3R7-100BSE | P75NF75 | NVD4C05NT4G | NTHL040N65S3F | MTD300N20J3 |