Справочник MOSFET. QS8F2

 

QS8F2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QS8F2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.061 Ohm
   Тип корпуса: TSMT8
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS8F2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:645K  rohm
 qs8f2.pdf pdf_icon

QS8F2

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFET + PNP TRANSISTOR QS8F2 StructureDimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFET/TSMT8(8) (7) (6) (5)PNP TRANSISTORFeatures1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package(TSMT8).3) Low voltage drive(1.5V drive).Abbreviated symbol : F02 ApplicationSwitching Packaging specificationsInner circuit(8) (7)

Другие MOSFET... QS5U36 , QS6J11 , QS6K1 , QS6K21 , QS6M3 , QS6M4 , QS6U22 , QS6U24 , AO3407 , QS8J11 , QS8J12 , QS8J13 , QS8J2 , QS8J4 , QS8J5 , QS8K11 , QS8K13 .

History: SED8840

 

 
Back to Top

 


 
.