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QS8J12 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QS8J12

Código: J12

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.25 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 12 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1 V

Carga de compuerta (Qg): 40 nC

Tiempo de elevación (tr): 60 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 350 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.029 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSMT8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET QS8J12

 

QS8J12 Datasheet (PDF)

1.1. qs8j12.pdf Size:2604K _update_mosfet

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QS8J12 Datasheet   -12V Pch+Pch Middle Power MOSFET    lOutline l             TSMT8 VDSS -12V   RDS(on)(Max.) 29mΩ     ID ±4.5A     PD 1.5W                         lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) -1.5V Drive. 3) Built-in G-S Protection Diode. 4) Small Surface Mount Package (TSMT8). 5) Pb-fre

1.2. qs8j12.pdf Size:1188K _rohm

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Data Sheet 1.5V Drive Pch + Pch MOSFET QS8J12 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) TSMT8 Silicon P-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) ?Features 1) Low On-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) Small high power package. 3) Low voltage drive(1.5V drive). Abbreviated symbol : J12 ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code TCR B

 5.1. qs8j13.pdf Size:2759K _update_mosfet

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QS8J13 Datasheet   -12V Pch+Pch Middle Power MOSFET    lOutline l             TSMT8 VDSS -12V   RDS(on)(Max.) 22mΩ     ID ±5.5A     PD 1.5W                         lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package . 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPack

5.2. qs8j11.pdf Size:2308K _update_mosfet

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QS8J11 Datasheet   -12V Pch +Pch Middle Power MOSFET    lOutline l             TSMT8 VDSS -12V   RDS(on)(Max.) 43mΩ     ID ±3.5A     PD 1.5W                         lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) -1.5V Drive. 3) Built-in G-S protection diode. 4) Small surface mount package(TSMT8) 5) Pb-free

 5.3. qs8j11.pdf Size:1251K _rohm

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Data Sheet 1.5V Drive Pch + Pch MOSFET QS8J11 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT8 (8) (7) (6) (5) ?Features 1) Low On-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) Small high power package. 3) Low voltage drive(1.5V drive). Abbreviated symbol : J11 ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code TCR Bas

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