Справочник MOSFET. QS8J12

 

QS8J12 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: QS8J12
   Маркировка: J12
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: TSMT8

 Аналог (замена) для QS8J12

 

 

QS8J12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2604K  rohm
 qs8j12.pdf

QS8J12 QS8J12

QS8J12Datasheet-12V Pch+Pch Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS -12VRDS(on)(Max.) 29m ID 4.5A PD 1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) -1.5V Drive.3) Built-in G-S Protection Diode.4) Small Surface Mount Package (TSMT8).5) Pb-fre

 9.1. Size:2759K  rohm
 qs8j13.pdf

QS8J12 QS8J12

QS8J13Datasheet-12V Pch+Pch Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS-12VRDS(on)(Max.) 22m ID 5.5A PD1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package .3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPack

 9.2. Size:2308K  rohm
 qs8j11.pdf

QS8J12 QS8J12

QS8J11Datasheet-12V Pch +Pch Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS -12VRDS(on)(Max.) 43m ID 3.5A PD 1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) -1.5V Drive.3) Built-in G-S protection diode.4) Small surface mount package(TSMT8)5) Pb-free

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top