Справочник MOSFET. QS8J12

 

QS8J12 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QS8J12
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: TSMT8
 

 Аналог (замена) для QS8J12

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS8J12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2604K  rohm
 qs8j12.pdf pdf_icon

QS8J12

QS8J12Datasheet-12V Pch+Pch Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS -12VRDS(on)(Max.) 29m ID 4.5A PD 1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) -1.5V Drive.3) Built-in G-S Protection Diode.4) Small Surface Mount Package (TSMT8).5) Pb-fre

 9.1. Size:2759K  rohm
 qs8j13.pdf pdf_icon

QS8J12

QS8J13Datasheet-12V Pch+Pch Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS-12VRDS(on)(Max.) 22m ID 5.5A PD1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package .3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPack

 9.2. Size:2308K  rohm
 qs8j11.pdf pdf_icon

QS8J12

QS8J11Datasheet-12V Pch +Pch Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS -12VRDS(on)(Max.) 43m ID 3.5A PD 1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) -1.5V Drive.3) Built-in G-S protection diode.4) Small surface mount package(TSMT8)5) Pb-free

Другие MOSFET... QS6K1 , QS6K21 , QS6M3 , QS6M4 , QS6U22 , QS6U24 , QS8F2 , QS8J11 , 5N50 , QS8J13 , QS8J2 , QS8J4 , QS8J5 , QS8K11 , QS8K13 , QS8K2 , QS8K21 .

History: MTP4835Q8 | AP6N3R5LI | AUIRF8736M2TR | AONR34332C | IPD90N06S4-05

 

 
Back to Top

 


 
.