QS8J12 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QS8J12

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm

Тип корпуса: TSMT8

Аналог (замена) для QS8J12

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS8J12 даташит

 ..1. Size:2604K  rohm
 qs8j12.pdf pdf_icon

QS8J12

QS8J12 Datasheet -12V Pch+Pch Middle Power MOSFET lOutline l TSMT8 VDSS -12V RDS(on)(Max.) 29m ID 4.5A PD 1.5W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) -1.5V Drive. 3) Built-in G-S Protection Diode. 4) Small Surface Mount Package (TSMT8). 5) Pb-fre

 9.1. Size:2759K  rohm
 qs8j13.pdf pdf_icon

QS8J12

QS8J13 Datasheet -12V Pch+Pch Middle Power MOSFET lOutline l TSMT8 VDSS -12V RDS(on)(Max.) 22m ID 5.5A PD 1.5W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package . 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPack

 9.2. Size:2308K  rohm
 qs8j11.pdf pdf_icon

QS8J12

QS8J11 Datasheet -12V Pch +Pch Middle Power MOSFET lOutline l TSMT8 VDSS -12V RDS(on)(Max.) 43m ID 3.5A PD 1.5W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) -1.5V Drive. 3) Built-in G-S protection diode. 4) Small surface mount package(TSMT8) 5) Pb-free

Другие IGBT... QS6K1, QS6K21, QS6M3, QS6M4, QS6U22, QS6U24, QS8F2, QS8J11, IRFP064N, QS8J13, QS8J2, QS8J4, QS8J5, QS8K11, QS8K13, QS8K2, QS8K21