QS8J2 Todos los transistores

 

QS8J2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QS8J2

Código: J02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.25 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 12 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1 V

Carga de compuerta (Qg): 20 nC

Tiempo de elevación (tr): 60 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 260 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.036 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSMT8

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QS8J2 Datasheet (PDF)

1.1. qs8j2.pdf Size:523K _update_mosfet

QS8J2
QS8J2

QS8J2 Pch -12V -4A Power MOSFET Datasheet lOutline (8) VDSS -12V (7) TSMT8 (6) (5) RDS(on) (Max.) 36mW (1) ID -4A (2) (3) PD 1.5W (4) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) -1.5V Drive. (2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain 3) Built-in G-S Protection Diode. (4) Tr2 Gate (8) Tr1 Drain 4) Small Sur

1.2. qs8j2.pdf Size:370K _rohm

QS8J2
QS8J2

1.5V Drive Pch MOSFET QS8J2 ? Dimensions (Unit : mm) ? Structure Silicon P-channel MOSFET TSMT8 (8) (7) (6) (5) ?Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. 3) 1.5V drive. (1) (2) (3) (4) Abbreviated symbol : J02 ? Application Switching ? Inner circuit ? Packaging specifications Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code TR Basic ordering unit (pieces) 3000 (1) Tr1 Sou

 

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