QS8J2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QS8J2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: TSMT8

Аналог (замена) для QS8J2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS8J2 даташит

 ..1. Size:523K  rohm
 qs8j2.pdf pdf_icon

QS8J2

QS8J2 Pch -12V -4A Power MOSFET Datasheet lOutline (8) VDSS -12V (7) TSMT8 (6) (5) RDS(on) (Max.) 36mW (1) ID -4A (2) (3) PD 1.5W (4) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) -1.5V Drive. (2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain 3) Built-in G-S Protection Diode. (4) Tr2 Gate (8) Tr1 Drain 4) Small Sur

Другие IGBT... QS6M3, QS6M4, QS6U22, QS6U24, QS8F2, QS8J11, QS8J12, QS8J13, IRF730, QS8J4, QS8J5, QS8K11, QS8K13, QS8K2, QS8K21, QS8M11, QS8M13