Справочник MOSFET. QS8J2

 

QS8J2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QS8J2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TSMT8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

QS8J2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:523K  rohm
 qs8j2.pdf pdf_icon

QS8J2

QS8J2 Pch -12V -4A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS-12V (7) TSMT8(6) (5) RDS(on) (Max.)36mW(1) ID-4A(2) (3) PD1.5W(4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) -1.5V Drive.(2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.(4) Tr2 Gate (8) Tr1 Drain 4) Small Sur

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CPH6445 | 9926B | NVTR01P02L | LND16N60 | PSMN1R9-40PL | QM2414V | BLM3407

 

 
Back to Top

 


 
.