Справочник MOSFET. QS8J2

 

QS8J2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QS8J2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TSMT8
 

 Аналог (замена) для QS8J2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS8J2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:523K  rohm
 qs8j2.pdf pdf_icon

QS8J2

QS8J2 Pch -12V -4A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS-12V (7) TSMT8(6) (5) RDS(on) (Max.)36mW(1) ID-4A(2) (3) PD1.5W(4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) -1.5V Drive.(2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.(4) Tr2 Gate (8) Tr1 Drain 4) Small Sur

Другие MOSFET... QS6M3 , QS6M4 , QS6U22 , QS6U24 , QS8F2 , QS8J11 , QS8J12 , QS8J13 , BS170 , QS8J4 , QS8J5 , QS8K11 , QS8K13 , QS8K2 , QS8K21 , QS8M11 , QS8M13 .

History: STD80N4F6 | P2003BDG | IPD038N04NG | LND150N3 | NCEP023N85M | QM3005D | AUIRF1404ZSTRL

 

 
Back to Top

 


 
.