PHW11N50E Todos los transistores

 

PHW11N50E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHW11N50E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT429
 

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PHW11N50E Datasheet (PDF)

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PHW11N50E

Philips Semiconductors Preliminary specification PowerMOS transistors PHP11N50E, PHB11N50E, PHW11N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 10.4 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.6 sGENERAL DESCRIPTI

 ..2. Size:102K  philips
 phb11n50e phw11n50e 1.pdf pdf_icon

PHW11N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHB11N50E, PHW11N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 10.9 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.55 sGENERAL DESCRIPTIONN-channel,

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History: 3SK144Q | SP2013 | MTN5N50FP | WSR140N08 | AP9916J | MXP43P9AT

 

 
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