PHW11N50E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHW11N50E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm

Encapsulados: SOT429

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PHW11N50E datasheet

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PHW11N50E

Philips Semiconductors Preliminary specification PowerMOS transistors PHP11N50E, PHB11N50E, PHW11N50E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 10.4 A g Low thermal resistance RDS(ON) 0.6 s GENERAL DESCRIPTI

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PHW11N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHB11N50E, PHW11N50E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 10.9 A g Low thermal resistance RDS(ON) 0.55 s GENERAL DESCRIPTION N-channel,

Otros transistores... PHP80N06LT, PHP87N03LT, PHP8N50E, PHP8ND50E, PHT11N06LT, PHT6N03LT, PHT6N06LT, PHT8N06LT, IRFZ44N, PHW14N50E, PHW20N50E, PHW7N60E, PHW8N50E, PHW8ND50E, PHW9N60E, PHX2N50E, PHX2N60E