PHW11N50E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHW11N50E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: SOT429

Аналог (замена) для PHW11N50E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHW11N50E даташит

 ..1. Size:35K  philips
 php11n50e phb11n50e phw11n50e.pdf pdf_icon

PHW11N50E

Philips Semiconductors Preliminary specification PowerMOS transistors PHP11N50E, PHB11N50E, PHW11N50E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 10.4 A g Low thermal resistance RDS(ON) 0.6 s GENERAL DESCRIPTI

 ..2. Size:102K  philips
 phb11n50e phw11n50e 1.pdf pdf_icon

PHW11N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHB11N50E, PHW11N50E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 10.9 A g Low thermal resistance RDS(ON) 0.55 s GENERAL DESCRIPTION N-channel,

Другие IGBT... PHP80N06LT, PHP87N03LT, PHP8N50E, PHP8ND50E, PHT11N06LT, PHT6N03LT, PHT6N06LT, PHT8N06LT, IRFZ44N, PHW14N50E, PHW20N50E, PHW7N60E, PHW8N50E, PHW8ND50E, PHW9N60E, PHX2N50E, PHX2N60E