Справочник MOSFET. PHW11N50E

 

PHW11N50E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHW11N50E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: SOT429
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHW11N50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:35K  philips
 php11n50e phb11n50e phw11n50e.pdf pdf_icon

PHW11N50E

Philips Semiconductors Preliminary specification PowerMOS transistors PHP11N50E, PHB11N50E, PHW11N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 10.4 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.6 sGENERAL DESCRIPTI

 ..2. Size:102K  philips
 phb11n50e phw11n50e 1.pdf pdf_icon

PHW11N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHB11N50E, PHW11N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 10.9 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.55 sGENERAL DESCRIPTIONN-channel,

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ME75N03

 

 
Back to Top

 


 
.