PHW11N50E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PHW11N50E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10.4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.55 Ohm
Тип корпуса: SOT429
PHW11N50E Datasheet (PDF)
php11n50e phb11n50e phw11n50e.pdf
Philips Semiconductors Preliminary specification PowerMOS transistors PHP11N50E, PHB11N50E, PHW11N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 10.4 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.6 sGENERAL DESCRIPTI
phb11n50e phw11n50e 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHB11N50E, PHW11N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 10.9 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.55 sGENERAL DESCRIPTIONN-channel,
Другие MOSFET... PHP80N06LT , PHP87N03LT , PHP8N50E , PHP8ND50E , PHT11N06LT , PHT6N03LT , PHT6N06LT , PHT8N06LT , IRF3205 , PHW14N50E , PHW20N50E , PHW7N60E , PHW8N50E , PHW8ND50E , PHW9N60E , PHX2N50E , PHX2N60E .
